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晶体管
SSM6N35FE,LM参考图片

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SSM6N35FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
4,000
¥0.48364
1934.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms, 20 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6N35
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N35FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin
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10,000:¥0.3616
20,000:查看
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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
8,000:¥0.3842
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1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
1,000:¥30.51
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晶体管
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1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
参考库存:21829
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