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晶体管

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BSM35GD120DLCE3224

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库存:43,620(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥912.7801
912.7801
5
¥895.9544
4479.772
10
¥855.6925
8556.925
25
¥827.1035
20677.5875
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 SP000100390
商品其它信息
优势价格,BSM35GD120DLCE3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥42.262
10:¥35.9566
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.5098
参考库存:2250
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:1804
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:2659
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:6546
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:6653
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