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晶体管
IRFPS3810PBF参考图片

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IRFPS3810PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
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库存:7,182(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥67.3932
67.3932
10
¥60.8618
608.618
25
¥58.0933
1452.3325
100
¥50.4093
5040.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
141 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
140 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
270 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
SP001566934
商品其它信息
优势价格,IRFPS3810PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
1,700:¥19.5942
3,400:查看
参考库存:2351
晶体管
MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.2207
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥3.0849
参考库存:8501
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1868
2,500:¥5.537
5,000:查看
参考库存:4272
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:4542
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥70.3086
10:¥63.5512
25:¥60.5454
100:¥52.5563
1,700:¥38.42
参考库存:3365
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