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晶体管
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BD136G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 45V 12.5W PNP
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6725
36.725
100
¥2.2487
224.87
1,000
¥1.7289
1728.9
2,500
¥1.4803
3700.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-24
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD136
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
212 mg
商品其它信息
优势价格,BD136G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
参考库存:5140
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:41310
晶体管
达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi- Crnt Darl Trans
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:8406
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:205049
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥218.2256
10:¥209.8523
参考库存:3793
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