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晶体管
NTD18N06LT4G参考图片

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NTD18N06LT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 18A N-Channel
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库存:5,476(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.65
56.5
100
¥3.6499
364.99
1,000
¥2.9154
2915.4
2,500
¥2.4634
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
NTD18N06L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
13.5 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
79 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9.9 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NTD18N06LT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:7307
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.357
500:¥19.21
3,000:¥19.21
参考库存:15529
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
5,000:¥5.1076
10,000:¥4.9155
参考库存:15532
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1,500:¥4.4296
9,000:¥4.2601
参考库存:15535
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.1472
10:¥5.1415
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.6555
参考库存:3838
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