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晶体管
2N6287G参考图片

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2N6287G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 20A 100V Bipolar Power PNP
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库存:1,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.2513
54.2513
10
¥49.0194
490.194
50
¥46.7933
2339.665
100
¥40.567
4056.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
20 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
160 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6287
封装
Tray
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
20 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.020 g
商品其它信息
优势价格,2N6287G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:18536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMSTA56/8/SOT323/SC-70
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.20792
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.13786
参考库存:18539
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5342
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.63054
20,000:查看
参考库存:14344
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:18546
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