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晶体管

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VS-GT200TP065N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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库存:31,189(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥748.3425
17960.22
48
¥723.3695
34721.736
72
¥713.4594
51369.0768
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
221 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GT200TP065N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:2759
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥153.1376
5:¥147.1486
10:¥141.6116
25:¥130.1647
参考库存:22874
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
1:¥11.6051
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:22877
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0792
参考库存:2575
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 8.7 mo FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:3269
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