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产品分类

晶体管
A2T21H140-24SR3参考图片

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A2T21H140-24SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:31,180(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥399.4098
399.4098
5
¥390.4263
1952.1315
10
¥375.2052
3752.052
25
¥363.1481
9078.7025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.4 dB
输出功率
36 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935340104128
单位重量
4.672 g
商品其它信息
优势价格,A2T21H140-24SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:2325
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:25747
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 50Vceo 5.0V 150mA 400mA 400mW
1:¥7.5258
10:¥6.1133
100:¥5.0963
500:¥3.9324
1,000:¥3.5482
参考库存:5312
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥99.0445
10:¥91.0554
25:¥87.2925
100:¥76.9191
参考库存:2328
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0003
500:¥5.2997
1,000:¥4.1923
2,500:¥4.1923
参考库存:4918
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