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晶体管
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TPS1101D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存：3,440(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
791 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1101
晶体管类型
1 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格，TPS1101D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS5330PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:5238
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
1,500:¥3.4804
参考库存:2506
2SD1815T-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 100V
1:¥6.4523
10:¥5.3336
100:¥3.4465
700:¥2.7459
2,100:¥2.3278
参考库存:4197
FZT651TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:34536
BC857CW,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:42892
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