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晶体管
TPS1101D参考图片

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TPS1101D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存:3,440(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
791 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1101
晶体管类型
1 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1101D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:6113
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:32781
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:4247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:12199
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
1:¥15.8313
10:¥13.1419
800:¥13.1419
参考库存:5247
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