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晶体管
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MW6S010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
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库存：1,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥159.7481
159.7481
10
¥146.9226
1469.226
25
¥140.3912
3509.78
100
¥124.0966
12409.66
500
¥107.1918
53595.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
125 mA
Vds-漏源极击穿电压
68 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
系列
MW6S010N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
61.4 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935319268528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，MW6S010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD210808APCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥42.3411
100:¥40.341
250:¥35.2673
500:¥34.2729
参考库存:40974
2N2218AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.6194
200:¥65.314
500:¥61.0878
1,000:¥56.0141
参考库存:40977
RM12N500T2
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥6.8817
2,000:¥5.8986
4,000:¥5.3901
10,000:¥4.9155
参考库存:40980
JANTXV2N2907AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
200:¥71.8454
250:¥65.54
500:¥61.3138
1,000:¥56.2514
参考库存:40983
CMBT2907A
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP,0.6A,60V GenPur
18,000:¥0.16159
参考库存:40986
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