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晶体管
RYC002N05T316参考图片

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RYC002N05T316

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 0.9V Drive Nch Si MOSFET
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库存:13,597(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.1696
21.696
100
¥0.92999
92.999
1,000
¥0.71416
714.16
3,000
¥0.54579
1637.37
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
200 mS
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
RYC002N05
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,RYC002N05T316的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 300mW 2mW
569:¥11.9102
1,000:¥9.831
2,500:¥8.8366
10,000:¥8.4524
参考库存:17481
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:17484
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:17487
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3390
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 232A 1.5MO
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
1,500:¥13.2888
4,500:查看
参考库存:4792
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