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晶体管
AUIRG4BC30S-S参考图片

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AUIRG4BC30S-S

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8202
198.202
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.2946
4073.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511470
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,AUIRG4BC30S-S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
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2,500:¥1.7741
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
50,000:¥1.6159
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:27736
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