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晶体管
RUC002N05HZGT116参考图片

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RUC002N05HZGT116

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23
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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.03734
10.3734
100
¥0.43844
43.844
1,000
¥0.29945
299.45
3,000
¥0.23052
691.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
RUC002N05HZG
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3109
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1,500:¥3.9211
2,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
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ULN2004ADE4
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1,280:¥2.4747
2,000:¥2.2487
5,000:¥2.0905
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参考库存:32247
DMA561080R
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.65314
24,000:¥0.60681
45,000:¥0.53788
参考库存:32250
SP000913772
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥55.0197
480:¥52.5563
720:¥47.8668
1,200:¥41.7196
参考库存:32253
STF6N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
参考库存:4503
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