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晶体管
MJD117-1G参考图片

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MJD117-1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1019
41.019
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9323
1932.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD117
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
宽度
2.38 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200, 500, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,MJD117-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:6113
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:32781
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:4247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:12199
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
1:¥15.8313
10:¥13.1419
800:¥13.1419
参考库存:5247
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