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晶体管
RGTH50TS65DGC11参考图片

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RGTH50TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 25A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5886
205.886
100
¥17.8992
1789.92
250
¥16.9839
4245.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH50TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH50TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGTH50TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
1:¥6.2263
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:28483
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W
1:¥15.2889
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:4632
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:19517
晶体管
MOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR
1:¥11.30
10:¥11.1418
25:¥9.379
100:¥8.5315
3,300:¥8.5315
参考库存:5092
晶体管
MOSFET 20 V, N-channel Trench MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:14270
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