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晶体管
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IRFU13N20DPBF

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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
235 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6.2 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001573640
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFU13N20DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC5144E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:42452
2N3838
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥426.1569
2:¥414.6309
5:¥403.1049
10:¥391.5789
参考库存:42455
RJH60M2DPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥21.7412
10:¥19.436
25:¥17.515
50:¥16.7466
参考库存:42458
NVMFS5C442NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1,500:¥3.2205
9,000:¥3.1075
24,000:¥3.0058
参考库存:42461
2SA1774EBTLP
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin EMT3F T/R
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:42464
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