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晶体管
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FF300R12KT4

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数量单价合计
1
¥972.5684
972.5684
5
¥953.4262
4767.131
10
¥909.0172
9090.172
25
¥889.8863
22247.1575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
450 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1600 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4HOSA1 SP000370607
单位重量
335 g
商品其它信息
优势价格,FF300R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥1.10627
参考库存:31112
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80:¥640.5405
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 40Vcer 5.0Vebo 2.0W 35pF
500:¥75.8456
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射频(RF)双极晶体管
10:¥1,900.9425
参考库存:31121
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K 10K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:31124
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