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晶体管
IRLU3110ZPBF参考图片

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IRLU3110ZPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3337
3666.85
1,000
¥6.0794
6079.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
34 nC
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001578962
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLU3110ZPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,705.9271
参考库存:40552
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥157.1378
10:¥142.8433
25:¥132.1648
50:¥125.0232
参考库存:40555
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥38.8833
100:¥37.0414
250:¥32.3519
500:¥31.4253
参考库存:40558
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
50:¥1,144.9951
参考库存:40561
晶体管
IGBT 模块 Intelligent Pwr Mod 600V 12A 3Phase IGBT
1:¥132.2439
10:¥121.5654
25:¥116.5708
100:¥102.6605
参考库存:5721
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