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晶体管
STGW60H60DLFB参考图片

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STGW60H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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库存:4,464(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW60H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
参考库存:19381
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
暂无价格
参考库存:19384
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥42.036
10:¥35.7306
100:¥30.962
250:¥29.3574
3,000:¥21.0519
参考库存:19387
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
5,000:¥1.6046
参考库存:19390
晶体管
JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
100:¥65.7773
250:¥59.9352
500:¥56.0932
1,000:¥51.4037
参考库存:19393
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