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晶体管
APT75GT120JU2参考图片

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APT75GT120JU2

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
1
¥324.0388
324.0388
5
¥313.123
1565.615
10
¥302.9078
3029.078
25
¥280.1609
7004.0225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
416 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT75GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
20,000:¥0.36838
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1:¥7.2207
10:¥5.9212
100:¥4.5426
500:¥3.8985
5,000:¥2.7346
10,000:查看
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1:¥124.4017
10:¥114.4125
25:¥109.6552
100:¥96.5924
250:¥91.8238
参考库存:29954
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