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晶体管
IPW60R099CPAFKSA1参考图片

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IPW60R099CPAFKSA1

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库存:1,335(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.4776
60.4776
10
¥54.6355
546.355
25
¥52.093
1302.325
100
¥45.2565
4525.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CPA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPW60R099CPA SP000597860
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R099CPAFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.2091
100:¥0.42262
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:132052
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:11905
晶体管
MOSFET N-CH 40V 4.6 mOhm Standard MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.5427
参考库存:7667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:15485
晶体管
MOSFET 25V 14A N-Channel
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,500:¥1.08367
参考库存:9732
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