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晶体管
2SK3756(TE12L,F)参考图片

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2SK3756(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2546
3627.3
1,000
¥6.0116
6011.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
7.5 V
增益
12 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3756
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.95 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,2SK3756(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50/100mA/4.7K 47K
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:50827
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.4577
参考库存:6204
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Si PNP Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.03734
参考库存:8153
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
1:¥5.1528
10:¥4.5765
25:¥4.1358
100:¥3.616
3,000:¥1.9662
6,000:查看
参考库存:9006
晶体管
MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.893
参考库存:4418
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