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晶体管
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APT33GF120BRG

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
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数量单价合计
1
¥79.6876
79.6876
10
¥71.6872
716.872
25
¥65.314
1632.85
50
¥60.8618
3043.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
52 A
Pd-功率耗散
297 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
52 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
52 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT33GF120BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥5.0059
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