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晶体管
IKA10N60T参考图片

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IKA10N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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库存:3,758(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
1,000
¥7.2885
7288.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11.7 A
Pd-功率耗散
30 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKA10N60TXKSA1 SP000215376
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IKA10N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 10A
1:¥263.403
5:¥260.6458
10:¥242.9726
25:¥232.0568
参考库存:2874
晶体管
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS
1:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:3861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:6197
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥127.3284
10:¥115.7233
25:¥107.0336
50:¥101.2028
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4847
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