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晶体管
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FDB15N50

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库存:4,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5886
20.5886
10
¥17.515
175.15
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
500
¥12.9046
6452.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
330 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB15N50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
FDB15N50_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB15N50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
2,500:¥2.6555
10,000:¥2.5538
25,000:¥2.486
参考库存:32078
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
25:¥5,811.4092
参考库存:32081
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:32084
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
2,500:¥8.2264
5,000:¥7.91
10,000:¥7.6614
参考库存:32087
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥466.577
5:¥456.1245
10:¥438.2931
25:¥424.1568
参考库存:32090
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