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晶体管
CSD19535KCS参考图片

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CSD19535KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:5,336(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥20.0575
200.575
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.368
3842
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
187 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
78 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19535KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
274 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19535KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:2820
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
参考库存:70031
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:3786
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4678
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,570.0672
5:¥1,532.2687
10:¥1,494.2329
25:¥1,473.2488
参考库存:2801
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