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晶体管
NTZD3154NT5G参考图片

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NTZD3154NT5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
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库存:20,606(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1809
21.809
100
¥0.9379
93.79
1,000
¥0.72207
722.07
8,000
¥0.48364
3869.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
570 mA
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms, 550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC, 1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTZD3154N
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1 S, 1 S
下降时间
8 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NTZD3154NT5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
5,000:¥5.3901
10,000:查看
参考库存:8815
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:33768
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6162
参考库存:4788
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
2,500:¥6.1585
5,000:查看
参考库存:6321
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:4208
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