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晶体管
IPZ65R019C7XKSA1参考图片

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IPZ65R019C7XKSA1

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库存:4,830(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥154.7535
154.7535
5
¥153.1376
765.688
10
¥142.7642
1427.642
25
¥136.3119
3407.7975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
215 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPZ65R019C7 SP001024002
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPZ65R019C7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.04525
参考库存:7198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low VCE(sat) Transistor
1:¥3.7629
10:¥2.3843
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
8,000:¥0.52997
24,000:查看
参考库存:8374
晶体管
MOSFET BUK7M45-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
1,500:¥1.11418
参考库存:3760
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:9293
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
2,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:15377
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