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晶体管
BSZ16DN25NS3GATMA1参考图片

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BSZ16DN25NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6049
3802.45
5,000
¥5.65
28250
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
10.9 A
Rds On-漏源导通电阻
146 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSZ16DN25NS3 BSZ16DN25NS3GXT G SP000781800
商品其它信息
优势价格,BSZ16DN25NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
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45,000:¥0.27685
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3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:29894
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3,000:¥1.9097
9,000:¥1.8419
24,000:¥1.7628
45,000:¥1.7402
参考库存:29897
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3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:29900
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