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晶体管
IKW50N60H3FKSA1参考图片

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IKW50N60H3FKSA1

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库存:4,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1093
39.1093
10
¥33.1994
331.994
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.2782
6819.55
500
¥24.5097
12254.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60H3 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格,IKW50N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOP-8 package
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
4,000:¥1.1639
参考库存:7439
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:14170
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
800:¥8.8366
参考库存:3947
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:22412
晶体管
MOSFET Nch 30V 7Ad Si MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.5425
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:5145
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