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晶体管
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IKW50N60H3FKSA1

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数量单价合计
1
¥39.1093
39.1093
10
¥33.1994
331.994
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.2782
6819.55
500
¥24.5097
12254.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60H3 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-25LWF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807-25LW/SOT323/SC-70
10,000:¥0.18419
30,000:¥0.1695
50,000:¥0.14577
100,000:¥0.12317
参考库存:16497
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
5,000:查看
参考库存:4800
DMN3053L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
10,000:¥0.71416
参考库存:16502
FDMC510P-F106
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:5297
SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥19.8993
参考库存:16507
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