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晶体管
IRLR3636TRLPBF参考图片

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IRLR3636TRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
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数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0173
3508.65
1,000
¥5.8082
5808.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
99 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
143 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
31 S
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
216 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001569134
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR3636TRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥38.7251
480:¥36.9623
720:¥33.7305
1,200:¥29.3574
参考库存:31681
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.285 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
2,500:¥5.7065
5,000:¥5.5031
10,000:¥5.2884
参考库存:31684
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
500:¥29.8094
1,000:¥25.9674
2,500:¥25.0521
参考库存:31687
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥25.4363
480:¥24.1255
720:¥21.6734
参考库存:31690
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.825
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
参考库存:31693
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