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晶体管
RGW80TK65DGVC11参考图片

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RGW80TK65DGVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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库存:3,204(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.1039
44.1039
10
¥37.4934
374.934
100
¥32.4988
3249.88
250
¥30.8151
7703.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
Pd-功率耗散
81 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
39 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW80TK65DGVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:4657
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:6357
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
800:¥20.5886
2,400:查看
参考库存:4902
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:14304
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
800:¥5.1754
参考库存:4787
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