您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGD3HF60HDT4参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGD3HF60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,368(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
2,500
¥4.5991
11497.75
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
7.5 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD3HF60HDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,STGD3HF60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 250mA 15pF
500:¥59.551
1,000:¥57.404
参考库存:29644
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K 22K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:16794
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
10,000:¥0.5989
20,000:¥0.56048
参考库存:29649
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
暂无价格
参考库存:29652
晶体管
MOSFET -33.5A,-100V, P-ch MOSFET
800:¥14.9838
参考库存:29655
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82813018

手机:19129911934

传真:0755-83267787

Email: Ruby@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82813018

微信联系我们 微信扫码联系我们