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晶体管
NGTB35N65FL2WG参考图片

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NGTB35N65FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/35A FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
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22.826
10
¥19.3682
193.682
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM4A3P303L
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