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晶体管

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LET9045STR

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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数量单价合计
600
¥237.6616
142596.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
45 W
最大工作温度
+ 165 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
工作频率
1 GHz
系列
LET9045
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V to 15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，LET9045STR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SP000925524
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥38.7251
480:¥36.9623
720:¥33.7305
1,200:¥29.3574
参考库存:31681
STD13NM50N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.285 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
2,500:¥5.7065
5,000:¥5.5031
10,000:¥5.2884
参考库存:31684
IRFPC50LCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
500:¥29.8094
1,000:¥25.9674
2,500:¥25.0521
参考库存:31687
IKW40N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥25.4363
480:¥24.1255
720:¥21.6734
参考库存:31690
NVMFS5C670NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.825
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
参考库存:31693
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