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晶体管
IRGS6B60KTRLPBF参考图片

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IRGS6B60KTRLPBF

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数量单价合计
800
¥8.1473
6517.84
2,400
¥7.571
18170.4
4,800
¥7.2885
34984.8
9,600
¥7.0173
67366.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
13 A
Pd-功率耗散
90 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001540974
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS6B60KTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1:¥95.2025
10:¥88.9084
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1:¥1.921
10:¥1.7628
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1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
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1:¥21.2892
10:¥18.1365
100:¥15.6731
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1:¥1.8419
10:¥1.1639
100:¥0.52997
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.25312
参考库存:44962
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