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晶体管
VS-GT120DA65U参考图片

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VS-GT120DA65U

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库存:29,375(价格仅供参考)
数量单价合计
160
¥182.1108
29137.728
320
¥167.0479
53455.328
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-227-4
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
167 A
Pd-功率耗散
577 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
集电极最大连续电流 Ic
167 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
660 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GT120DA65U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥88.6711
10:¥81.5295
25:¥78.1508
100:¥68.8509
参考库存:5362
晶体管
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥13.447
10:¥11.3678
100:¥9.1417
500:¥7.9891
3,000:¥6.1811
6,000:查看
参考库存:3433
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
5:¥366.9901
10:¥362.843
25:¥335.5648
参考库存:1623
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥238.8142
5:¥228.0566
10:¥220.9941
25:¥203.0158
参考库存:1647
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:1562
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