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晶体管

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APTGT400A120D3G

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数量单价合计
100
¥1,615.4819
161548.19
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.1 kW
封装 / 箱体
D3-11
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT400A120D3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:64510
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.8616
10:¥51.4037
25:¥49.0194
100:¥42.5671
3,000:¥31.0411
参考库存:6842
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
1:¥34.804
10:¥31.1202
25:¥27.9675
50:¥27.2782
参考库存:3997
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 9A
1:¥11.9102
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
1,000:¥5.4805
4,000:¥5.4805
参考库存:25691
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:5177
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