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晶体管
BD681G参考图片

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BD681G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 100V Bipolar Power NPN
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库存:17,736(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3053
43.053
100
¥2.7798
277.98
1,000
¥2.2261
2226.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225AA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD681
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
680 mg
商品其它信息
优势价格,BD681G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
1:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.1244
参考库存:77445
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
1:¥45.878
10:¥39.0302
100:¥33.8096
250:¥32.0468
1,000:¥24.2837
2,000:查看
参考库存:4687
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.3624
2,000:查看
参考库存:4516
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
1:¥3.0736
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:581416
晶体管
MOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
1:¥47.6408
10:¥43.1095
25:¥41.1094
100:¥35.6515
参考库存:3473
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