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晶体管
BD681G参考图片

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BD681G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 100V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3053
43.053
100
¥2.7798
277.98
1,000
¥2.2261
2226.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225AA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD681
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
680 mg
商品其它信息
优势价格,BD681G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:41279
晶体管
MOSFET Mosfet
1:¥15.6731
10:¥14.2945
100:¥12.2944
500:¥10.9836
参考库存:41282
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 60mA 10Vds -15Vgs
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:41285
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:41288
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:41291
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