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晶体管
STGW40NC60KD参考图片

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STGW40NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
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数量单价合计
1
¥32.4988
32.4988
10
¥27.6624
276.624
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.7469
5686.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW40NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V, 5.8A,N Channel Mosfet
30,000:¥2.0792
参考库存:31753
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 45Vceo NPN 5.0Vebo 800mA 625mW
10,000:¥1.9549
24,000:¥1.8419
参考库存:31759
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Unijunction
暂无价格
参考库存:31762
晶体管
JFET 40V N-Ch JFET 40Vdg 50mA 360mW
暂无价格
参考库存:31765
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