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晶体管
SIRA58ADP-T1-RE3参考图片

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SIRA58ADP-T1-RE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥9.2208
9.2208
10
¥7.6275
76.275
100
¥5.8421
584.21
500
¥5.0285
2514.25
3,000
¥3.7064
11119.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
109 A
Rds On-漏源导通电阻
2.65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
56.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,SIRA58ADP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSM Transistor
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.9379
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.5989
参考库存:19571
晶体管
MOSFET 0.9V Drive Nch MOSFET
1:¥1.6159
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:6726
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NRND, alternate is LM395T/NOPB
45:¥35.1882
135:¥28.7359
270:¥26.9731
540:¥24.5097
参考库存:4744
晶体管
MOSFET N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
3,000:¥9.0626
6,000:查看
参考库存:6958
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:52778
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