您好！欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
晶体管
IHW30N110R3FKSA1参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

IHW30N110R3FKSA1

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：2,751(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N110R3 IHW3N11R3XK SP000702510
单位重量
5.400 g
商品其它信息
优势价格，IHW30N110R3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN19100CGTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V 5.5A
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:3589
APT6011B2VRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥270.635
5:¥260.0243
10:¥250.2724
25:¥229.9776
参考库存:3594
BC807-16-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:11583
BC857CLT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 100mA PNP SILCON
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:48063
ULQ2004ATDRG4Q1
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.2883
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.3843
参考库存:4959
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话：0755-82865099

手机：19129491934

传真：0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们