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产品分类

晶体管
IPP60R099P7XKSA1参考图片

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IPP60R099P7XKSA1

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库存:3,777(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.6514
33.6514
10
¥28.589
285.89
100
¥24.747
2474.7
250
¥23.5153
5878.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
117 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPP60R099P7 SP001647032
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IPP60R099P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:4904
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.7467
10:¥15.9104
100:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:1966
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:1159
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
5,000:¥2.1018
参考库存:6095
晶体管
MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK
1:¥6.5314
10:¥5.5483
100:¥4.2601
500:¥3.7629
2,500:¥2.6329
10,000:查看
参考库存:3572
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