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晶体管
TGF3015-SM参考图片

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TGF3015-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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库存:2,515(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.1 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
557 mA
输出功率
11 W
Pd-功率耗散
15.3 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-EP-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
0.03 GHz to 3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
TGF3015-SM-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1120419
商品其它信息
优势价格,TGF3015-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.571
2,500:¥7.0625
参考库存:4667
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
1:¥40.6461
10:¥34.4989
100:¥29.9676
250:¥28.4308
500:¥25.5154
1,000:¥21.5152
参考库存:3169
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6159
参考库存:7556
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
1,500:¥2.3956
参考库存:4898
晶体管
MOSFET BUK9Y59-60E/LFPAK/REEL 7" Q1/T
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
1,500:¥1.6046
参考库存:8430
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