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晶体管
APT75GP120JDQ3参考图片

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APT75GP120JDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥336.175
336.175
2
¥327.0333
654.0666
5
¥318.0385
1590.1925
10
¥308.8968
3088.968
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
在25 C的连续集电极电流
128 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT75GP120JDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMT80080DC
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
3,000:¥18.984
参考库存:6949
AIGW40N65F5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:4944
DTA143ZUBHZGTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13156
NVMFD5C470NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,500:¥2.8476
9,000:查看
参考库存:10776
DTA124EUBHZGTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 22kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13660
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