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晶体管
APT75GP120JDQ3参考图片

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APT75GP120JDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥336.175
336.175
2
¥327.0333
654.0666
5
¥318.0385
1590.1925
10
¥308.8968
3088.968
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
在25 C的连续集电极电流
128 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT75GP120JDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM9933DCS
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual 20V P channel MOSFET
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9775
25,000:¥1.9323
参考库存:31094
IFN403
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:31097
AUIRLS3034TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
800:¥21.0519
2,400:¥20.0575
参考库存:31100
6MS30017E43W38169
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥251,518.0668
参考库存:31103
PTVA120501EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥640.4614
参考库存:31106
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