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晶体管
FF150R17KE4参考图片

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FF150R17KE4

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库存:1,215(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥887.8071
887.8071
5
¥871.5238
4357.619
10
¥832.2563
8322.563
25
¥804.5148
20112.87
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
250 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1100 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R17KE4HOSA1 SP000713524
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF150R17KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 3.3K 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:32901
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
250:¥650.2924
参考库存:32904
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 10K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:26054
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:32909
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms
5,000:¥10.2943
参考库存:32912
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