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晶体管
PTVA120501EA-V1-R250参考图片

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PTVA120501EA-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：31,106(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥640.4614
160115.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
50 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
增益
17 dB
输出功率
50 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.5 V
商品其它信息
优势价格，PTVA120501EA-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIS472DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:6469
IRFZ10PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
参考库存:2658
STGW40NC60KD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:2678
APT20GT60BRDQ1G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥55.709
10:¥50.1042
25:¥45.6407
100:¥41.1885
参考库存:2536
IRL3103PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
参考库存:4088
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