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晶体管
DMN3135LVT-7参考图片

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DMN3135LVT-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
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库存:55,037(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2769
1276.9
3,000
¥1.09158
3274.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN31
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.1 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3135LVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:3902
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:8277
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
1:¥26.7358
10:¥22.7469
100:¥19.7524
250:¥18.6676
参考库存:3094
晶体管
IGBT 晶体管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:3554
晶体管
MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
2,500:¥5.4353
5,000:查看
参考库存:5809
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