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晶体管
RGPR20NS43HRTL参考图片

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RGPR20NS43HRTL

  • ROHM Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9721
3486.05
1,000
¥5.7743
5774.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
460 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
0.6 mA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGPR20NS43HRTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 4.2A 0.83W
3,000:¥6.328
6,000:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:30022
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
2,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9606
参考库存:30025
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000:¥4.6217
参考库存:30028
晶体管
MOSFET 40V 121A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥6.4297
10,000:¥6.3054
参考库存:30031
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 25ohm 50mA 360mW 3.27mW
323:¥22.0576
500:¥19.8202
1,000:¥16.7466
2,500:¥15.9104
参考库存:30034
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