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晶体管
IKD03N60RFAATMA1参考图片

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IKD03N60RFAATMA1

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库存:31,255(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥4.1471
10367.75
10,000
¥3.9889
39889
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
5 A
Pd-功率耗散
53.6 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD03N60RFA SP001205236
商品其它信息
优势价格,IKD03N60RFAATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 70A 4.5 O
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
1,500:¥2.1244
参考库存:19907
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA114YU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:25710
晶体管
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PolarPAK
1:¥19.2891
10:¥16.0573
100:¥12.4526
500:¥10.8367
3,000:¥8.3733
6,000:查看
参考库存:8712
晶体管
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4975
3,000:¥6.4975
参考库存:19914
晶体管
MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
1:¥15.2098
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
2,000:¥6.9721
4,000:查看
参考库存:7717
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